收藏本站
SUD50N04-16P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
I D = 30 A
V DS = 20 V
1. 8
I D = 15 A
V GS = 4.5 V
6
V DS = 10 V
1.5
V GS = 10 V
V DS = 30 V
4
2
0
1.2
0.9
0.6
0
8
16
24
32
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.2
- 0.1
1
I D = 5 mA
- 0.4
0.1
T J = 25 °C
- 0.7
I D = 250 μA
0.01
0.001
- 1.0
- 1.3
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
8 0
60
40
20
0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
8 0
60
40
20
0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
Document Number: 74477
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD50N04-37P-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
SUD50N04-8M8P-4GE3 MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
SUD50N06-07L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-08H-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-09L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N10-18P-GE3 MOSFET N-CH 100V DPAK
SUD50N10-34P-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO252
SUD50NP04-77P-T4E3 MOSFET N/P-CH 40V TO252-4
相关代理商/技术参数
SUD50N04-25P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175°C MOSFET
SUD50N04-25P-E3 功能描述:MOSFET 40V 20A 28.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N04-37P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-37P-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-37P-T4-E3 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 10.8W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N04-8M8P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-8M8P_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50N04-8m8P-4GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube